Características
Samsung MZ-V8P2T0BW unidad de estado sólido M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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Marca: SAMSUNG
Part number: MZ-V8P2T0BW
CaracterÍsticas |
Factor de forma de disco SSD: M.2 |
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Interfaz: PCI Express 4.0 |
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Tipo de memoria: V-NAND MLC |
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Componente para: PC/ordenador portátil |
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Encriptación de hardware: Si |
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Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES |
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Velocidad de lectura: 7000 MB/s |
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Velocidad de escritura: 5100 MB/s |
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Lectura aleatoria (4KB): 1000000 IOPS |
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Escritura aleatoria (4KB): 1000000 IOPS |
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Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 |
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Tiempo medio entre fallos: 1500000 h |
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Control de energÍa |
Voltaje de operación: 3,3 V |
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Consumo de energÍa (max): 7,2 W |
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Consumo de energÍa (promedio): 6,1 W |
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Consumo de energÍa (inactivo): 0,035 W |
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Condiciones ambientales |
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 ºC |
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Máxima temperatura: 70 ºC |
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Golpes en funcionamiento: 1500 G |
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Peso y dimensiones |
Ancho: 80,2 mm |
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Empaquetado |
Tipo de embalaje: Caja |
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Datos logÍsticos |
Código de Sistema de Armomización (SA): 84717070 |
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