Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

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Características

Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

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Marca: SAMSUNG
Part number: MZ-V9P1T0BW


CaracterÍ­sticas
Factor de forma de disco SSD: M.2
SDD, capacidad: 1000 GB
Interfaz: PCI Express 4.0
Tipo de memoria: V-NAND MLC
NVMe: Si
Componente para: PC
Encriptación de hardware: Si
Versión NVMe: 2.0
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Velocidad de lectura: 7450 MB/s
Velocidad de escritura: 6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
Función DevSleep: Si
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Memoria caché DDR externa: Si
Cantidad de memoria caché DDR externa: 1024 MB
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

Control de energÍ­a
Voltaje de operación: 3,3 V
Consumo de energÍ­a (max): 7,8 W
Consumo de energÍ­a (promedio): 5,4 W

Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 ºC
Máxima temperatura: 70 ºC
Vibración operativa: 1500 G

Peso y dimensiones
Ancho: 80 mm
Profundidad: 2,3 mm
Altura: 22 mm
Peso: 9 g

Empaquetado
Tipo de embalaje: Caja

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