Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

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FINANCIACION

Características

- 1 TB M.2 PCI Express 4.0 - Velocidad de lectura: 5000 MB/s - Velocidad de escritura: 4200 MB/s - V-NAND TLC NVMe 2.0 - Encriptación de hardware 256-bit AES - Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM - Componente para: Universal

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Marca: SAMSUNG
Part number: MZ-V9E1T0BW


CaracterÍ­sticas
Factor de forma de disco SSD: M.2
SDD, capacidad: 1 TB
Interfaz: PCI Express 4.0
Tipo de memoria: V-NAND TLC
NVMe: Si
Componente para: Universal
Encriptación de hardware: Si
Versión NVMe: 2.0
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Velocidad de lectura: 5000 MB/s
Velocidad de escritura: 4200 MB/s
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
Revisión PCI Express CEM: 4.0
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
calificación TBW: 600

Control de energÍ­a
Voltaje de operación: 3,3 V
Consumo de energÍ­a (lectura): 4,9 W
Consumo de energÍ­a (escritura): 4,5 W
Consumo energético (en suspensión): 0,005 W
Consumo de energÍ­a (espera): 0,06 W

Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 ºC
Intervalo de temperatura de almacenaje: -40 - 85 ºC
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95%
Vibración no operativa: 20 G
Golpe (fuera de operación): 1500 G

Detalles técnicos
Periodo de garantÍ­a: 5 año(s)

Peso y dimensiones
Ancho: 80,2 mm
Profundidad: 22,1 mm
Altura: 2,38 mm
Peso: 9 g

Empaquetado
Tipo de embalaje: Caja

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