Características
- 4 TB M.2 PCI Express 4.0 - Velocidad de lectura: 7450 MB/s 1400000 IOPS - Velocidad de escritura: 6900 MB/s 1550000 IOPS - V-NAND MLC NVMe 2.0 - Encriptación de hardware 256-bit AES - Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM - Componente para: PC
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Marca: SAMSUNG
Part number: MZ-V9P4T0BW
CaracterÍsticas |
Factor de forma de disco SSD: M.2 |
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Interfaz: PCI Express 4.0 |
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Tipo de memoria: V-NAND MLC |
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Encriptación de hardware: Si |
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Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES |
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Velocidad de lectura: 7450 MB/s |
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Velocidad de escritura: 6900 MB/s |
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Lectura aleatoria (4KB): 1400000 IOPS |
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Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS |
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Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 |
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Tiempo medio entre fallos: 1500000 h |
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Funciones de protección: Resistente al calor |
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Control de energÍa |
Voltaje de operación: 3,3 V |
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Consumo de energÍa (promedio): 5,5 W |
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Condiciones ambientales |
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 ºC |
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Golpes en funcionamiento: 1500 G |
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Peso y dimensiones |
Ancho: 80 mm |
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