Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Descripción

- 1 TB M.2 PCI Express 4.0
- Velocidad de lectura: 7150 MB/s 850000 IOPS
- Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1350000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC

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Marca: SAMSUNG
Part number: MZ-V9S1T0BW

Especificaciones


Características
SDD, capacidad: 1 TB
Factor de forma de disco SSD: M.2
Interfaz: PCI Express 4.0
NVMe: Si
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Componente para: PC
Encriptación de hardware: Si
Versión NVMe: 2.0
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura: 7150 MB/s
Velocidad de escritura: 6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 1350000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

Peso y dimensiones
Ancho: 80,2 mm
Profundidad: 2,38 mm
Altura: 22,1 mm
Peso: 9 g

Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C

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