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Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

149 ,56 €


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Descripción

- 1 TB M.2 PCI Express 5.0
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s 1850000 IOPS
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s 2600000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC/ordenador portátil

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Marca: SAMSUNG
Part number: MZ-VAP1T0BW

Especificaciones


Características
SDD, capacidad: 1 TB
Factor de forma de disco SSD: M.2
Interfaz: PCI Express 5.0
NVMe: Si
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Componente para: PC/ordenador portátil
Encriptación de hardware: Si
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Velocidad de lectura: 14700 MB/s
Velocidad de escritura: 13300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

Control de energía
Voltaje de operación: 3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura): 7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,2 W

Peso y dimensiones
Ancho: 80,2 mm
Profundidad: 2,38 mm
Altura: 22,1 mm
Peso: 9 g

Empaquetado
Tipo de embalaje: Caja

Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento: 1500 G

Seguridad del producto

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